SI4590DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI4590DY-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.95 |
10+ | $0.839 |
100+ | $0.6429 |
500+ | $0.5082 |
1000+ | $0.4066 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technologie | - |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2A, 10V |
Leistung - max | 2.4W, 3.4W |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.4A, 2.8A |
Konfiguration | N and P-Channel |
Grundproduktnummer | SI4590 |
SI4590DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4590DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
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MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
VISHAY SOP8
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
VISHAY SOP8
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MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4590DY-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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